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FSB50250数据手册分立半导体产品的功率驱动器模块规格书PDF

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厂商型号

FSB50250

参数属性

FSB50250 封装/外壳为23-PowerDIP 模块(0.551",14.00mm);包装为管件;类别为分立半导体产品的功率驱动器模块;产品描述:IC SMART POWER MOD 2A SPM23-AA

功能描述

智能功率模块,500V,2A
IC SMART POWER MOD 2A SPM23-AA

封装外壳

23-PowerDIP 模块(0.551",14.00mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 11:10:00

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FSB50250规格书详情

描述 Description

FSB50250 是一款 Motion SPM® 5 系列,基于快速恢复 MOSFET (FRFET®) 技术,可用作风机和泵等小功率电机驱动应用的紧凑型逆变器方案。由六个 FRFET MOSFET 和三个半桥门极驱动 HVIC 组成。FSB50250 提供低电磁干扰 (EMI) 特征,具有优化开关速度。此外,因为它采用 MOSFET 作为电源开关,所以与基于 IGBT 的电源模块相比,其坚固性更高,安全运行区域 (SOA) 也更大。该封装针对在空间有限应用中使用的热性能和紧凑型进行了优化。对于需要高能效、紧凑性和低电磁干扰的逆变器来说,FSB50250 是非常合适的方案。

特性 Features

•500V RDS(on)=4.2Ω (最大值)三相FRFET逆变器,包括高电压集成电路(HVIC)
•三个独立负直流链路端子,可实现逆变器电流感测应用
•HVIC可实现栅极驱动和欠压保护
•高电平有效接口,可用于 3.3V/5V 逻辑电平
•针对低电磁干扰进行优化
•1500Vrms/1min 的额定隔离电压。

应用 Application

• 运动控制-家用设备/工业电机

简介

FSB50250属于分立半导体产品的功率驱动器模块。由制造生产的FSB50250功率驱动器模块功率驱动器模块为电源组件(通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防护。功率半导体或裸片将焊接或烧结在基材上,后者可承载功率半导体并在需要时提供电和热触点以及电绝缘。功率模块提供更高的功率密度,并且在许多情况下更可靠且更易于冷却。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    FSB50250

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 功率驱动器模块

  • 系列:

    Motion SPM® 5

  • 包装:

    管件

  • 类型:

    MOSFET

  • 配置:

    3 相

  • 电压 - 隔离:

    1500Vrms

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    23-PowerDIP 模块(0.551",14.00mm)

  • 描述:

    IC SMART POWER MOD 2A SPM23-AA

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