功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，7.5 A，1.2 Ω，TO-220F

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。 •7.5A, 600V, RDS(on)= 1.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.75A栅极电荷低（典型值：28nC)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道 QFET® FRFET® MOSFET 600V, 6.26A, 1.5Ω

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •7.5A, 600V, RDS(on)= 1.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.75A栅极电荷低（典型值：28nC）\n•低 Crss（典型值12pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested;

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安森美半导体