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FQPF8N60	文件：162.17 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Mosfet Transistor 文件：162.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQPF8N60C	文件：278.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=7.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：278.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQPF8N60C	文件：927.42 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：927.42 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF8N60C	文件：1.12264 Mbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Corise Semiconductorÿs proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, 文件：1.12264 Mbytes 页数：9 Pages	KERSEMI	KERSEMI
FQPF8N60CF	文件：755.01 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：755.01 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF8N60CF	文件：278.47 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=6.26A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：278.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQPF8N60CFT	文件：755.01 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand 文件：755.01 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF8N60C	文件：1.30367 Mbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：1.30367 Mbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF8N60C	文件：829.76 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 600 V, 7.5 A, 1.2 廓文件：829.76 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF8N60CT	文件：829.76 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 600 V, 7.5 A, 1.2 廓文件：829.76 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
600
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
6.26
PD Max (W)：
48
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1500
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
28
Ciss Typ (pF)：
965
Package Type：
TO-220-3 FullPak

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