FQP50N06L中文资料功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,60 V,52.4 A,21 mΩ,TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP50N06L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•52.4A, 60V, RDS(on)= 21mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 26.2A栅极电荷低(典型值:24.5nC)
•低 Crss(典型值90pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C maximum junction temperature rating
应用 Application
• 其他音频与视频
技术参数
- 制造商编号
:FQP50N06L
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:60
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:2.5
- ID Max (A)
:52.4
- PD Max (W)
:121
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:25
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:21
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:24.5
- Ciss Typ (pF)
:1250
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
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25000 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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25+ |
TO-220 |
25000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
880000 |
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