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FQP3N80C	文件：810.37 Kbytes Page：10 Pages	800V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP3N80C	文件：296.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
3N80	文件：200.25 Kbytes Page：6 Pages	2.5Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC3N80provideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)=3.8Ω@VGS=10V UltraLowGateCharge(typical19nC) *LowReverseTransfer	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
3N80	文件：210.29 Kbytes Page：6 Pages	3Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
3N80	文件：398.32 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
3N80	文件：49.87 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
3N80	文件：222.92 Kbytes Page：6 Pages	3Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
3N80H	文件：304.04 Kbytes Page：5 Pages	3.0A竊?00VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
3N80Z	文件：212.01 Kbytes Page：6 Pages	3Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC3N80ZprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
AOD3N80	文件：321.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOD3N80	文件：2.61509 Mbytes Page：6 Pages	800V,2.8AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOD3N80hasbeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularACDCapplications. ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabilitythispartcan	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOTF3N80	文件：102.55 Kbytes Page：1 Pages	TO220FPACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOTF3N80	文件：296.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOTF3N80	文件：1.29075 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AOTF3N80L	文件：102.55 Kbytes Page：1 Pages	TO220FPACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
BRD3N80	文件：807.74 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
BRF3N80	文件：1.0583 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FLPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
FIR3N80BPG	文件：3.13873 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET-D	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR3N80FG	文件：2.60988 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET-D	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR3N80LG	文件：3.69416 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET-D	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

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详细参数

型号：
FQP3N80C
功能描述：
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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详细参数

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