FQPF3N80C中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
FQPF3N80C规格书详情
FEATURES
·Drain Current -ID=3A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS=800V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) =4.8Ω(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
产品属性
- 型号:
FQPF3N80C
- 功能描述:
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
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