FQN1N60C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，0.3 A，11.5 Ω，TO-92数据手册ONSEMI规格书
FQN1N60C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•0.3A, 600V, RDS(on)= 11.5Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.15A栅极电荷低（典型值：4.8nC)
•低 Crss（典型值3.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQN1N60C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：0.3
- PD Max (W)
：1
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：11500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：4
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4.8
- Ciss Typ (pF)
：130
- Package Type
：TO-92-3 LF
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-92 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON SEMICONDUCTOR |
22 |
询价 | |||||
FAI |
17+ |
TO92 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
FSC |
2016+ |
TO-92 |
3900 |
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询价 | ||
ON |
2022+ |
TO-92-3 LF |
38550 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO922.54mm |
7350 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-92-3 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-92 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHI |
23+ |
TO-92 |
8650 |
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