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FQI7N40	文件：777.23 Kbytes Page：9 Pages	400V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
7N40	文件：49.6 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
7N40	文件：175.81 Kbytes Page：4 Pages	7A,400VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
FQB7N40	文件：777.23 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP7N40	文件：757.99 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithst	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF7N40	文件：787.75 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithst	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
KSM7N40	文件：2.03681 Mbytes Page：7 Pages	400VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
PHB7N40E	文件：78.55 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP7N40Eissupplied	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
PHP7N40E	文件：78.55 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP7N40Eissupplied	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
PHX7N40E	文件：61 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
RFM7N40	文件：47.43 Kbytes Page：4 Pages	7A,350Vand400V,0.75Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
RFP7N40	文件：47.43 Kbytes Page：4 Pages	7A,350Vand400V,0.75Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社

详细参数

型号：
FQI7N40
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQI7N40供应商更新时间2024-4-27 10:49:00

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