FQP11P06_Q中文资料下载行情报价仙童半导体-114ic电子网

首页 >FQP11P06_Q>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
11P06	文件：653.88 Kbytes Page：9 Pages	60VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB11P06	文件：333.66 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-11.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.175Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQB11P06	文件：653.88 Kbytes Page：9 Pages	60VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB11P06	文件：660.81 Kbytes Page：9 Pages	60VP-ChannelMOSFET Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB11P06TM	文件：1.046329 Mbytes Page：9 Pages	P-ChannelQFETMOSFET-60V,-11.4A,175m廓 Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD11P06	文件：615.94 Kbytes Page：9 Pages	60VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildísproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD11P06	文件：353.73 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-9.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.185Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforus	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQD11P06	文件：1.18404 Mbytes Page：9 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-60V,-9.4A,185m廓 GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildísproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD11P06TM	文件：912.3 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FQD11P06TM	文件：990.08 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
FQP11P06_Q
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	FQP11P06T	FAIRCHILD	2023+	TO-252	50000	原装现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	FQP11P06功率三极管	FAIRCHILD/仙童	23+	TO220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市宏兴瑞科技有限公司	FQP11P06功率三极管	FAIRCHILD/仙童	24+	TO220	60000		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FQP120N06C	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市鹏和科技有限公司	FQP12N20	FSC	24+	T0-220	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FQP12N20	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市华来深电子有限公司	FQP12N20	FSC	23+	TO-220	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	FQP12N20	F	TO220AB	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市威雅利发展有限公司	FQP12N20	FSC	0205+	T0-220	570	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	FQP12N20	FAIRCHILD/仙童	24+	NA/	160	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

更多FQP11P06_Q供应商更新时间2025-5-16 15:04:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号