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NTD6N15	文件：298.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD6N15	文件：1.66479 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SSM6N15AFE	文件：173.2 Kbytes Page：5 Pages	LoadSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM6N15AFU	文件：197.54 Kbytes Page：5 Pages	LoadSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM6N15FE	文件：180.43 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM6N15FU	文件：154.65 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchingApplications •Smallpackage •LowONresistance:Ron=4.0Ω(max)(@VGS=4V) :Ron=7.0Ω(max)(@VGS=2.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM6N15FU	文件：945.85 Kbytes Page：6 Pages	DualN-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
T6N15CA	文件：182.31 Kbytes Page：6 Pages	Surface-MountPAR®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Low-profilepackage-typicalheightof0.88mm •LeadlessDFNpackagewithside-wettable flankssuitableforcustomerAOI(Automatic OpticalInspection) •Idealforautomatedplacement •Junctionpassivationoptimizeddesign passivatedanisotropicrectifiertechnology •TJ=18	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
T6N15CA	文件：182.31 Kbytes Page：6 Pages	Surface-MountPAR®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Low-profilepackage-typicalheightof0.88mm •LeadlessDFNpackagewithside-wettable flankssuitableforcustomerAOI(Automatic OpticalInspection) •Idealforautomatedplacement •Junctionpassivationoptimizeddesign passivatedanisotropicrectifiertechnology •TJ=18	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
T6N15CA	文件：182.31 Kbytes Page：6 Pages	Surface-MountPAR®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Low-profilepackage-typicalheightof0.88mm •LeadlessDFNpackagewithside-wettable flankssuitableforcustomerAOI(Automatic OpticalInspection) •Idealforautomatedplacement •Junctionpassivationoptimizeddesign passivatedanisotropicrectifiertechnology •TJ=18	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
FQI6N15
功能描述：
MOSFET N-CH/150V/6.3A/0.65OHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQI6N15供应商更新时间2025-5-19 16:20:00

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