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FQA47P06	文件：717.71 Kbytes Page：8 Pages	60VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQAF47P06	文件：710.31 Kbytes Page：8 Pages	60VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
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FQB47P06	文件：345.53 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-47A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=26mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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FQP47P06	文件：714.01 Kbytes Page：8 Pages	60VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP47P06	文件：521.22 Kbytes Page：8 Pages	-60VP-ChannelMOSFET Features ID=-47A VDS(V)=-60V RDS(on)=26m(VGS=-10V) LowGateCharge(Typ.84nC) LowCrss(Typ.320pF) 100AvalancheTested 175°CMaximumJunctionTemperatureRating	UMWUMW 友台友台半导体
FQPF47P06	文件：703.07 Kbytes Page：8 Pages	60VP-ChannelMOSFET Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF47P06	文件：1.32441 Mbytes Page：9 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-60V,-30A,26m廓 Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF47P06YDTU	文件：1.32441 Mbytes Page：9 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-60V,-30A,26m廓 Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
KSM47P06	文件：1.80612 Mbytes Page：6 Pages	60VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
KSMB47P06	文件：634.82 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
KSMF47P06	文件：1.97199 Mbytes Page：7 Pages	60VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
ST47P06D	文件：702.24 Kbytes Page：8 Pages	PChannelEnhancementModeMOSFET	STANSONStanson Technology Stanson 科技

详细参数

型号：
FQI47P06TU
功能描述：
MOSFET 60V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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