FQPF47P06中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FQPF47P06规格书详情
描述 Description
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
特性 Features
• -30 A, -60 V, RDS(on)=26 mΩ(Max.) @VGS=-10 V, ID=-15 A
• Low Gate Charge (Typ. 84 nC)
• Low Crss (Typ. 320 pF)
• 100 Avalanche Tested
• 175°C Maximum Junction Temperature Rating
产品属性
- 型号：
FQPF47P06
- 功能描述：
MOSFET 60V P-Channel QFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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