FQD2P40中文资料功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-400 V,-1.56 A,6.5 Ω,DPAK数据手册ONSEMI规格书
FQD2P40规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•-1.56 A、-400 V、RDS(on)= 6.5Ω(最大值),需 VGS = -10 V、ID = -0.78 A栅极电荷低(典型值:10nC)
•低 Crss(典型值6.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS Compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
:FQD2P40
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-400
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:-5
- ID Max (A)
:-1.56
- PD Max (W)
:38
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:6500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:10
- Ciss Typ (pF)
:270
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
D-PAKTO-252 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO252 |
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FAIRCHILD |
17+ |
TO-252 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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国产 |
14+ |
TO-252 |
6000 |
原装正品现货 |
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ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
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TO252 |
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FAIRCHILD |
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Fairchild(飞兆/仙童) |
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