FQD1N60C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，1 A，11.5 Ω，DPAK数据手册ONSEMI规格书
FQD1N60C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•1A, 600V, RDS(on)= 11.5Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.5A栅极电荷低（典型值：4.8nC)
•低 Crss（典型值3.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQD1N60C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：1
- PD Max (W)
：28
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：11500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4.8
- Ciss Typ (pF)
：130
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2511 |
TO-252 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
仙童 |
06+ |
TO-252 |
8000 |
原装库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252 |
85000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-252 |
15300 |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO252 |
1709 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ONSEMI |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
