200V N-Channel MOSFET

Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high a

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FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.14Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

200V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel QFET MOSFET 200 V, 15 A, 140 mOhm

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel QFET MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，15 A，140 mΩ，DPAK

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •15A, 200V, RDS(on)= 140mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 7.5A栅极电荷低（典型值：20nC)\n•低 Crss（典型值25pF)\n•经过100%雪崩测试\n•100% avalanche testedcapability;

ONSEMI

安森美半导体

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 200V, ID= 24 A RDS(ON)

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BYCHIP

百域芯

200V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel QFET MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel QFET MOSFET 200 V, 15 A, 140 mOhm

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FAIRCHILD

仙童半导体