功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，52.4 A，21 mΩ，D2PAK

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •52.4A, 60V, RDS(on)= 21mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 26.2A栅极电荷低（典型值：24.5nC)\n•低 Crss（典型值90pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•175°C最大结温额定值\"\n• 175°C maximum junction temperature rating;

ONSEMI

安森美半导体