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FQB50N06L数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQB50N06L

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,60 V,52.4 A,21 mΩ,D2PAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:00:00

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FQB50N06L规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性 Features

•52.4A, 60V, RDS(on)= 21mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 26.2A栅极电荷低(典型值:24.5nC)
•低 Crss(典型值90pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C maximum junction temperature rating

应用 Application

• 其他工业

技术参数

  • 制造商编号

    :FQB50N06L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :52.4

  • PD Max (W)

    :121

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :25

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :21

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :24.5

  • Ciss Typ (pF)

    :1250

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

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