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FQB50N06中文资料功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 60 V,50 A,22 mΩ,D2PAK数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FQB50N06

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 60 V,50 A,22 mΩ,D2PAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:20:00

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FQB50N06规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性 Features

•50A,60V,RDS(on)= 22mΩ(最大值)(VGS = 10 V且ID = 25A 时)
•低栅极电荷(典型值 31nC)
•低 Crss(典型值 65pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"

应用 Application

• 其他工业

技术参数

  • 制造商编号

    :FQB50N06

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :50

  • PD Max (W)

    :120

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :22

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :31

  • Ciss Typ (pF)

    :1180

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

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