FQB44N10中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，43.5 A，52 mΩ，D2PAK数据手册ONSEMI规格书
FQB44N10规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•43.5A, 100V, RDS(on)= 39mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 21.75A栅极电荷低（典型值：48nC)
•低 Crss（典型值85pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C maximum junction temperature rating
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQB44N10
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：43.5
- PD Max (W)
：146
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：39
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：24.5
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：48
- Ciss Typ (pF)
：1400
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
11+ |
TO-263 |
154 |
询价 | |||
ON |
21+ |
TO-263 |
9511 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
D2-PAKTO-263 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
D2-PAK |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO263 |
7500 |
只做原装所有货源可以追溯原厂 |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
D2-PAK |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
