FQB4N80中文资料N 沟道 QFET® MOSFET 800V，3.9A，3.6Ω数据手册ONSEMI规格书
FQB4N80规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•3.9A, 800V, RDS(on)= 3.6Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.95A栅极电荷低（典型值：19nC)
•低 Crss（典型值8.6pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQB4N80
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：3.9
- PD Max (W)
：130
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：3600
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：19
- Ciss Typ (pF)
：680
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-263-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FSC |
25+23+ |
TO-263 |
14771 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-2632L(D2PAK) |
36900 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-263 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-263-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-263-3 |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
D2-PAKTO-263 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
D2PAK-3 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
FSC |
18+ |
TO-263 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 |
