N-Channel QFET® MOSFET

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。 •13.5 A，500 V，RDS(on) = 480 mΩ（最大值），条件是 VGS = 10 V，ID = 6.75 A\n•低栅极电荷（典型值43 nC)\n•低 Crss（典型值20 pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试除非另有说明，最大绝对额定值 TC = 25°C。\n•提高了 dv/dt 性能;

ONSEMI

安森美半导体