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FP50R12KT4	文件：442.11 Kbytes Page：11 Pages	EconoPIM2 module with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP50R12KT4	文件：645.68 Kbytes Page：11 Pages	EconoPIM2 Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP50R12KT4	文件：644.44 Kbytes Page：11 Pages	EconoPIM™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP50R12KT4P	文件：714.79 Kbytes Page：12 Pages	EconoPIM™2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material ElectricalFeatures •ExtendedoperatingtemperatureTvjop •Lowswitchinglosses •Tvjop=150°C •TrenchIGBT4 MechanicalFeatures •Highpowerandthermalcyclingcapability •IntegratedNTCtemperaturesensor •Isolatedbaseplate •Copperbaseplate •Soldercontacttechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP50R12KT4_13	文件：645.68 Kbytes Page：11 Pages	EconoPIM2 Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP50R12KT4_B11	文件：592.66 Kbytes Page：12 Pages	EconoPIM2 module with Trench/Fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP50R12KT4_B11	文件：835.02 Kbytes Page：12 Pages	EconoPIM2 Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP50R12KT4_B11_13	文件：835.02 Kbytes Page：12 Pages	EconoPIM2 Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP50R12KT4BPSA1	文件：644.44 Kbytes Page：11 Pages	EconoPIM™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FP50R12KT4G	文件：592.07 Kbytes Page：12 Pages	EconoPIM3 module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
FP50R12KT4
功能描述：
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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