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FP50R12KT4P分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

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厂商型号

FP50R12KT4P

参数属性

FP50R12KT4P 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 100A 20MW

功能描述

EconoPIM™2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material
IGBT MOD 1200V 100A 20MW

封装外壳

模块

文件大小

714.79 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-12 10:19:00

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FP50R12KT4P规格书详情

FP50R12KT4P属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由英飞凌科技股份公司制造生产的FP50R12KT4P晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

Electrical Features

• Extended operating temperature Tvj op

• Low switching losses

• Tvj op = 150°C

• Trench IGBT 4

Mechanical Features

• High power and thermal cycling capability

• Integrated NTC temperature sensor

• Isolated base plate

• Copper base plate

• Solder contact technology

• RoHS compliant

• Standard housing

•Pre-applied Thermal Interface Material

产品属性

更多
  • 产品编号:

    FP50R12KT4PBPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 系列:

    EconoPIM™ 2

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.15V @ 15V,25A

  • 输入:

    三相桥式整流器

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 100A 20MW

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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