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FP50R06W2E3	文件：2.84614 Mbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP50R06W2E3	文件：1.05699 Mbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP50R06W2E3_13	文件：1.05699 Mbytes Page：12 Pages	EasyPIM Modul mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP50R06W2E3_B11	文件：518.45 Kbytes Page：11 Pages	EasyPIM??B module PressFIT with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP50R06W2E3_B11	文件：679.9 Kbytes Page：11 Pages	EasyPIM2B Modul PressFIT mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP50R06W2E3_B11_13	文件：679.9 Kbytes Page：11 Pages	EasyPIM2B Modul PressFIT mit Trench	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP50R06W2E3B11BOMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 600V 65A 175W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FP50R06W2E3BOMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MODULE 600V 65A 175W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
FP50R06W2E3
功能描述：
IGBT 模块 IGBT 600V 50A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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