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FO10NG-C

丝印:O10N;Package:TO-220F;N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.24853 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

FO10NG-C

MOSFET

DOINGTER

杜因特

FOD3120SD

FSC
SOP-8

FSC

FOD3120SD

FAIRCHILD/仙童
SOP8

FAIRCHILD/仙童

上传:深圳市星佑电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

FOD3120SD

INFINEON
SMD-8_6.3m

Infineon

英飞凌

上传:深圳市壹芯创科技有限公司

技术参数

  • Package:

    TO-220F

  • ESD Diode:

    N

  • VDS (V):

    650

  • VGS ±(V):

    30

  • ID(A):

    10

  • VGS(th) (min V):

    2

  • VGS(th) (max V):

    4

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    0.78

  • Qg (nC):

    24

  • Ciss(pF):

    1189

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Panduit Corp
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更多FO10NG-C供应商 更新时间2025-10-8 10:19:00