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FO10NG-C

丝印:O10N;Package:TO-220F;N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

FO10NG-D

丝印:O10N;Package:TO-220F;N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

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更多O10N供应商 更新时间2025-9-20 10:19:00