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FQA16N50	文件：438.39 Kbytes Page：8 Pages	OptimizedSwitchforDiscontinuousCurrentModePowerFactorCorrection	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA16N50	文件：362.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQA16N50	文件：754.87 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET Features •16A,500V,RDS(on)=0.32Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical60nC) •LowCrss(typical35pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQAF16N50	文件：719.3 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET 500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQAF16N50	文件：420.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=11.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.32Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IRFB16N50K	文件：184.45 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
FMV16N50ESSC-P
制造商：
Fuji Electric

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FMV16N50ESSC-P	FUJI/富士电机	23+		10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	FMV16N50ESTK15A50D	TOSHIBA	25+	TO-TO-220F	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	FMV16N50E其他被动元件	FUJITSU/富士通	23+	TO220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多FMV16N50ESSC-P供应商更新时间2025-5-18 11:10:00

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