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FMV16N60E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=16A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.47Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:296.46 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FMV16N60E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件:546.08 Kbytes 页数:5 Pages

FUJI

富士通

FMV16N60ES

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=16A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.47Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:300.54 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FMV16N60ES

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件:577.82 Kbytes 页数:5 Pages

FUJI

富士通

FMV16N60E

功率MOSFET 600V-700V

FUJI

富士通

FMV16N60ES

功率MOSFET 600V-700V

FUJI

富士通

详细参数

  • 型号:

    FMV16N60E

  • 制造商:

    FUJI

  • 制造商全称:

    Fuji Electric

  • 功能描述:

    N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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更多FMV16N60E供应商 更新时间2026-1-27 14:14:00