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FMV19N60E	文件：295.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID=19A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.365Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：295.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FMV19N60E	文件：525.87 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：525.87 Kbytes 页数：5 Pages	FUJI 富士通	FUJI
FMV19N60ES	文件：300.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID=19A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.365Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：300.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FMV19N60ES	文件：568.25 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：568.25 Kbytes 页数：5 Pages	FUJI 富士通	FUJI
FMV19N60E	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOSFET 600V-700V	FUJI 富士通	FUJI
FMV19N60ES	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOSFET 600V-700V	FUJI 富士通	FUJI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FMV19N60E供应商更新时间2026-1-27 14:14:00