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FMV19N60ES	文件：568.25 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FMH19N60E	文件：562.42 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FMH19N60ES	文件：580.12 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FMR19N60E	文件：551.11 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FMR19N60ES	文件：324.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FMR19N60ES	文件：570.84 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FMV19N60E	文件：525.87 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FQA19N60	文件：363.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=18.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQA19N60	文件：545.55 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQAF19N60	文件：526.05 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQAF19N60	文件：421.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=11.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
HFH19N60	文件：716.54 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.

详细参数

型号：
FMV19N60ES
制造商：
FUJI
制造商全称：
Fuji Electric
功能描述：
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宝芯创电子有限公司	FMV19N60ES	FUJITSU/富士通	18+	TO-220	20336	全新原装现货,可出样品,可开增值税发票	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	FMV19N60ES		23+	N/A	49200	正品授权货源可靠	询价
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深圳市兴灿科技有限公司	FMV19N60ES	FUJI/富士电机	23+	TO-220	25500	授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售	询价
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更多FMV19N60ES供应商更新时间2024-4-28 8:00:00

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