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FM65R1K0F	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道超级结功率 MOSFET	FM 富满	FM
IIPD65R1K0CE	文件：336.2 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPA65R1K0CE	文件：261.11 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：261.11 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPA65R1K0CE	文件：996.4 Kbytes Page：15 Pages	650V CoolMOS??CE Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse/drive •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforstandardgradeapplications 文件：996.4 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS：
650
ID@TC=25℃(A)：
5
Rds(on)/Typ 10V(mΩ)：
840
VGS （±V）：
30
VTH（V）：
3.0-5.0
Configuration：
Single-N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市三芯电子有限公司	FM65R1K0F	FM/富满	25+	TO-220F	5000		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FM6600B/FM6606	FM/富满	23+	SOP-8	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
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更多FM65R1K0F供应商更新时间2025-11-1 11:01:00

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