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FJV4114R	文件：46.96 Kbytes Page：3 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ) Application •Switching,Interface,and	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJV4114R	文件：167.5 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ) Application •Switching,Interface,and	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJV4114R	文件：252.31 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=4.7k,R2=47k) Application •Switching,Interface,and	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FJV4114RMTF	文件：167.5 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ) Application •Switching,Interface,and	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJV4114RMTF	文件：252.31 Kbytes Page：6 Pages	Marking：R84；Package：SOT-23；PNP Epitaxial Silicon Transistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=4.7k,R2=47k) Application •Switching,Interface,and	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FJV4114RMTF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
FJV4114R
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 50/100mA/4.7K 47K
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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