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FJV4114RMTF	文件：167.5 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ) Application •Switching,Interface,and	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJV4114RMTF	文件：252.31 Kbytes Page：6 Pages	Marking：R84；Package：SOT-23；PNP Epitaxial Silicon Transistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=4.7k,R2=47k) Application •Switching,Interface,and	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FJV4114RMTF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
GC4114	文件：391.82 Kbytes Page：45 Pages	QUADTRANSMITCHIP	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
GC4114-PQ	文件：391.82 Kbytes Page：45 Pages	QUADTRANSMITCHIP	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
HM4114	文件：900.64 Kbytes Page：11 Pages	High-brigtnessLEDdriver	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HO-NP-4114	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
HO-P-4114	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
HS4114	文件：802.87 Kbytes Page：16 Pages	HighPerformanceRelativeHumidityandTemperatureSensorwithMembraneandAnalogOutput Features Humidityrange:0to100RH Automotivegrade,AEC-Q100qualified,Grade2, -40°Cto+105°C Industrialgrade,JEDECqualified,-40°Cto+105°C Hydrophobicmembrane,IP67rating 10to90ratio-metricanalogoutputvoltage RHaccuracy:±1.5RH,typical(HS4111) FastRHresponsetime:	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HS4114	文件：802.21 Kbytes Page：16 Pages	HighPerformanceRelativeHumidityandTemperatureSensorwithMembraneandAnalogOutput Features ■Humidityrange:0to100RH ■Automotivegrade,AEC-Q100qualified,Grade2, -40°Cto+105°C ■Industrialgrade,JEDECqualified,-40°Cto+105°C ■Hydrophobicmembrane,IP67rating ■10to90ratio-metricanalogoutputvoltage ■RHaccuracy:±1.5RH,typical(HS4111) ■FastRHr	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

产品属性

产品编号：
FJV4114RMTF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
68 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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