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FJV3110R	文件：52.01 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Switching Application (Bias Resistor Built In) • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor (R=10KΩ) • Complement to FJV4110R 文件：52.01 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJV3110R	文件：237.5 Kbytes Page：7 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：237.5 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJV3110RMTF	文件：52.01 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Switching Application (Bias Resistor Built In) • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor (R=10KΩ) • Complement to FJV4110R 文件：52.01 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJV3110RMTF	文件：237.5 Kbytes Page：7 Pages	丝印：R30；Package：SOT-23；NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：237.5 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJV3110R	文件：300 bytes Page：1 Pages	带偏置电阻的 NPN 外延硅晶体管带内置电阻的晶体管由于其减少的零件数量和简化的电路设计，可极大地节约空间和成本。 •100 mA 输出电流处理能力\n•内置偏置电阻 (R = 10 KΩ);	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJV3110RMTF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
NPN Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
40
hFE Min：
100
R1 (kΩ)：
10
R2 (kΩ)：
R1/R2 Typ：
Vi(off) Max (V)：
Vi(on) Min (V)：
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FJV3110R	ON/安森美	23+	SOT-23	178094	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多FJV3110R供应商更新时间2026-1-28 11:10:00

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