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FJU1615	文件：149.15 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor For Output Amplifier of Electronic Flash Unit • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • High Performance at Low Supply Voltage 文件：149.15 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FJU1615	文件：295.67 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -20V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):-0.=25V(Max) @IC= -4A APPLICATIONS · Low frequency amplifier 文件：295.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FJU5304D	文件：297.53 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 400V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat): 0.7V(Max) @IC= 1.0A APPLICATIONS · Built-in Free Wheeling Diode · Wide Safe Operating Area · Small Variance in Storage Time · Suitable for Electronic Ballast Applicatio 文件：297.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FJU5304D	文件：152.72 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Fast Switching Transistor 文件：152.72 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FJU5304DTU	文件：152.72 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Fast Switching Transistor 文件：152.72 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FJU1615	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJU5304D	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage Fast Switching Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
FJU
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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