FJV4105RMTF_Q资料datasheet下载库存现货-114ic电子网

首页 >FJV4105RMTF_Q>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
FKS4105	文件：537.34 Kbytes Page：4 Pages	40VP-ChannelMOSFET Features ⚫AdvancedTrenchMOSTechnology ⚫LowGateCharge ⚫100EASGuaranteed ⚫GreenDeviceAvailable Applications ⚫LoadSwitches ⚫HardSwitchingandHighSpeedCircuit	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK
HO-NP-4105	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
HO-P-4105	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
IIRFR4105	文件：334.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤45mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFR4105Z	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighSpeedPowerSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤24.5mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFL4105	文件：168.77 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.045ohm,Id=3.7A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4105	文件：827.7 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Itsuniquepackagedesignallowsforeasyautomaticpickand-placeaswithotherSOTorSOICpackagesbuthastheaddedadvantageofimprovedthermalperformanceduetoanenla	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFL4105	文件：577.74 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelIRFL4105 GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementThisvery highdensityprocessisespeciallytailoredto minimizeon-stateresistanceandprovide superior switchingperformance,andwithstandhigh energypulse intheavalancheandcommutation modes. Thesedevicesareparticula	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFL4105PBF	文件：158.56 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4105PBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
FJV4105RMTF_Q
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/4.7K 10K
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	FJV4106MTF	FAIRCHILD/FSC/仙童飞兆半	24+	SOT-23	39200	新进库存/原装	询价
深圳市能元时代电子有限公司	FJV4106MTF	FAI	23+	SOT-23	63624	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
深圳兆威电子有限公司	FJV4106-NL	FAIRCHILD	23+	SOT-23	63000	原装正品现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FJV4106-NL	FAIRCHILD/仙童	23+		699999	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FJV4106R	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	FJV4106RMTF	TI	23+	SSOP28	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市博浩通科技有限公司	FJV4106RMTF	FAIRCHILD	23+	SOT23	12000	全新原装优势	询价
深圳诚思涵科技有限公司	FJV4106RMTF	FAIRCHILD	19+	SOT23	20000	36000	询价
深圳市华睿芯科技有限公司	FJV4106RMTF	FAIRCHILD	24+	SOT23	20000	全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	FJV4106RMTF	FAIRCHI	24+	SOT23	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价

更多FJV4105RMTF_Q供应商更新时间2025-5-23 16:30:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号