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FM3104	文件：252.71 Kbytes Page：22 Pages	IntegratedProcessorCompanionwithMemory [RAMTRON] Description TheFM31xxxisafamilyofintegrateddevicesthatincludesthemostcommonlyneededfunctionsforprocessor-basedsystems.Majorfeaturesincludenonvolatilememoryavailableinvarioussizes,realtimeclock,low-VDDreset,watchdogtimer,nonvolatileeventcounter,lockab	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FM3104	文件：546.46 Kbytes Page：25 Pages	IntegratedProcessorCompanionwithMemory	RAMTRON Ramtron International Corporation	RAMTRON
FM3104-G	文件：546.46 Kbytes Page：25 Pages	IntegratedProcessorCompanionwithMemory	RAMTRON Ramtron International Corporation	RAMTRON
FM3104-S	文件：252.71 Kbytes Page：22 Pages	IntegratedProcessorCompanionwithMemory [RAMTRON] Description TheFM31xxxisafamilyofintegrateddevicesthatincludesthemostcommonlyneededfunctionsforprocessor-basedsystems.Majorfeaturesincludenonvolatilememoryavailableinvarioussizes,realtimeclock,low-VDDreset,watchdogtimer,nonvolatileeventcounter,lockab	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FP3104	文件：59.77 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
FR3104	文件：119.74 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGRECTIFIER VOLTAGERANGE50TO1000VoltsCURRENT3.0Amperes FEATURE •Lowforwardvoltage •Highcurrentcapability •Lowleakagecurrent •Highsurgecapability •Lowcost	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI
H3104A	文件：293.11 Kbytes Page：5 Pages	CMOSEEPROM	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
HI3104A	文件：293.11 Kbytes Page：5 Pages	CMOSEEPROM	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
HITFET-BTS3104SDL	文件：1.39471 Mbytes Page：22 Pages	Smartlowsidepowerswitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
HITFET-BTS3104SDR	文件：1.39523 Mbytes Page：22 Pages	104mOhmsinglechannelsmartlowsidepowerswitchfor12V&24VApplication	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
FJV3104RMTF_Q
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/47K 47K
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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更多FJV3104RMTF_Q供应商更新时间2025-5-20 8:26:00

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