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FJD3076	文件：264.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Low collector saturation voltage • High current gain characteristics • Fast-switching speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Power amplifier application 文件：264.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FJD3076	文件：47.39 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Power Amplifier Applications • Low Collector-Emitter Saturation Voltage 文件：47.39 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJD3076	文件：52.88 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • Low Collector-Emitter Saturation Voltage 文件：52.88 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJD3076TM	文件：52.88 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • Low Collector-Emitter Saturation Voltage 文件：52.88 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJD3305H1	文件：491.09 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Transistor High Voltage Switch Mode Application • Fast Speed Switching • Wide Safe Operating Area • Suitable for Electronic Ballast Application 文件：491.09 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJD3305H1TM	文件：491.09 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Transistor High Voltage Switch Mode Application • Fast Speed Switching • Wide Safe Operating Area • Suitable for Electronic Ballast Application 文件：491.09 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJD5304D	文件：176.64 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Fast Switching Transistor Features • Built-in Free Wheeling Diode • Wide Safe Operating Area • Small Variance in Storage Time • Suitable for Electronic Ballast Application 文件：176.64 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FJD5304D	文件：283.68 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 400V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)= 1.0V(Max) @IC=1A APPLICATIONS ·Designed for power amplifier,high speed switching and regulated power supply applications. 文件：283.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FJD5304D	文件：413.39 Kbytes Page：7 Pages	High Voltage Fast Switching Transistor Features • Built-in Free Wheeling Diode • Wide Safe Operating Area • Small Variance in Storage Time • Suitable for Electronic Ballast Application 文件：413.39 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJD5304DTF	文件：413.39 Kbytes Page：7 Pages	丝印：J5304D；Package：D-PAK；High Voltage Fast Switching Transistor Features • Built-in Free Wheeling Diode • Wide Safe Operating Area • Small Variance in Storage Time • Suitable for Electronic Ballast Application 文件：413.39 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1
IC Cont. (A)：
4
VCEO Min (V)：
400
VCBO (V)：
700
VEBO (V)：
12
VBE(sat) (V)：
1.2
hFE Min：
8
hFE Max：
40
PTM Max (W)：
30
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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