FJBE2150D: ESBC™ Rated NPN Silicon Transistor

FJBE2150D 是一个低成本、高性能的功率开关，设计用于以下应用中的 ESBC™ 配置： 电源、电机驱动器、智能电网或点火开关。 功率开关可在高达 1500 V 的电压和 3 A 的电流下工作，同时提供出色的低导通电阻和极低的开关损耗。ESBC™ 开关使用现成的电源控制器或驱动器进行驱动。 ESBC™ MOSFET 是将低输入电容和快速开关整合在一起的低电压、低成本表面贴装器件。 由于没有米勒电容，ESBC™ 配置可进一步最小化所需驱动电源。FJBE2150D因其具有方形的反向偏压安全工作区(RBSOA)和坚固的设计，因此它可提供一流的可靠性和广泛的工作范围。 该器件具有雪崩额定值，并且没 等效低导通电阻\n超快开关： 150 kHz\n平方 RBSOA： 高达 1500 V\n雪崩额定值\n• 低驱动电容，无米勒电容 200V 时 12 pF 电容）\n低开关损耗 \n可靠的高电压开关： 因其具有高 dv/dt 瞬变能力，可实现无误触发。;

ONSEMI

安森美半导体

ESBCTM Rated NPN Silicon Transistor

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FAIRCHILD

仙童半导体

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 800V 2A D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

SOUND ENHANCEMENT AUDIO PROCESSOR

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NJRC

日本无线

SOUND ENHANCEMENT AUDIO PROCESSOR

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日本无线

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