FJBE2150D中文资料FJBE2150D: ESBC™ Rated NPN Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

FJBE2150D 是一个低成本、高性能的功率开关，设计用于以下应用中的 ESBC™ 配置： 电源、电机驱动器、智能电网或点火开关。 功率开关可在高达 1500 V 的电压和 3 A 的电流下工作，同时提供出色的低导通电阻和极低的开关损耗。ESBC™ 开关使用现成的电源控制器或驱动器进行驱动。 ESBC™ MOSFET 是将低输入电容和快速开关整合在一起的低电压、低成本表面贴装器件。 由于没有米勒电容，ESBC™ 配置可进一步最小化所需驱动电源。FJBE2150D因其具有方形的反向偏压安全工作区(RBSOA)和坚固的设计，因此它可提供一流的可靠性和广泛的工作范围。 该器件具有雪崩额定值，并且没有寄生晶体管，因此它不易于发生静态 dv/dt 故障。该功率开关采用专用的高压双极工艺制造，并以额定值为 2500 V 的爬电和间隙密封于高压 HV-D2PAK 封装中。

特性 Features

等效低导通电阻
超快开关： 150 kHz
平方 RBSOA： 高达 1500 V
雪崩额定值
• 低驱动电容，无米勒电容 200V 时 12 pF 电容）
低开关损耗
可靠的高电压开关： 因其具有高 dv/dt 瞬变能力，可实现无误触发。

简介

FJBE2150D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的FJBE2150D晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。