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FIR4N65LG

Advanced N-Ch Power MOSFET-I

文件:4.21846 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR4N65LG(I版)

功率MOS/高压功率MOS

First

福斯特

FRD4N65

N-Channel Power MOSFET

Features RDS(ON)

文件:1.34625 Mbytes 页数:7 Pages

GWSEMI

唯圣电子

FRI4N65CT

N-Channel Enhancement MOSFET

Features  VDS=650V, ID=4A  RDS(ON)=2.2Ω@VGS=10V(Typ.)  High Power and current handing capability  Lead free product is acquired Main Applications  Battery Protection  Load Switch  Power Management

文件:1.26704 Mbytes 页数:5 Pages

GWSEMI

唯圣电子

FSJ4N65

4A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET ?

文件:1.18598 Mbytes 页数:11 Pages

WXDH

东海半导体

技术参数

  • ID [A]:

    4

  • VGS [±V]:

    ±30

  • VGS(th) [V]:

    2~4

  • RDS(on) [MΩ]:

    2.7

  • Package:

    TO-252

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FIR4N65L供应商 更新时间2025-11-6 11:00:00