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FIR2N90FG	文件：2.07305 Mbytes Page：8 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：2.07305 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR2N90FG(T)	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOS/高压功率MOS	First 福斯特	First
FQB2N90	文件：759.72 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET Features • 2.2 A, 900V, RDS(on) = 7.2 Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 12 nC) • Low Crss ( typical 5.5 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability 文件：759.72 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB2N90	文件：765.33 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：765.33 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB2N90TM	文件：765.33 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：765.33 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

更多FIR2N90FG供应商更新时间2025-10-12 11:00:00