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FQI12N60C	文件：828.96 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP12N60	文件：65.36 Kbytes Page：1 Pages	600VN-ChannelMOSFET DESCRIPTION TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergy	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
FQP12N60	文件：532.52 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP12N60	文件：302.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQP12N60C	文件：873.99 Kbytes Page：10 Pages	FQP12N60C/FQPF12N60C Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP12N60C	文件：1.12119 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP12N60C	文件：1.07433 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingCoriseSemiconductorÿsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FQP12N60C	文件：1.43803 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF12N60	文件：1.43803 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF12N60	文件：549.59 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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技术参数

ID [A]：
12
VGS [±V]：
±30
VGS(th) [V]：
2~4
Package：
TO-220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿（深圳）半导体有限公司	FIR12N60FG	FIRST(福斯特)	2447	TO-220F(TO-220IS)	105000	50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
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深圳市跃创芯科技有限公司	FIR12N60FG	FIRST/福斯特	2022+	TO-220F	30000	进口原装现货供应,绝对原装假一罚十	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	FIR12N60FG	FIRST(福斯特)	20+	TO-220F-3	50		询价
深圳市创新迹电子有限公司	FIR12N60FG	FIRST/福斯特	2022+	TO-220F	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	FIR12N60FG		24+	N/A	61000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	FIR12N60FG	First	25+	TO-TO-220F	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳兆威电子有限公司	FIR12N65	士兰微	22+	TO-220F	998046	原装正品现货,可开13点税	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FIR12N65F	FIRST/福斯特	23+	TO220	21729	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价

更多FIR12N60FG供应商更新时间2025-7-29 15:01:00

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