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FHU4N65B	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
FHU4N65B	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	FeiHong 飞虹	FeiHong
FIR4N65AALG	文件：2.83793 Mbytes Page：9 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：2.83793 Mbytes 页数：9 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR4N65ABPG	文件：2.83793 Mbytes Page：9 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：2.83793 Mbytes 页数：9 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR4N65AFG	文件：3.06035 Mbytes Page：8 Pages	650V N-Channel MOSFET 文件：3.06035 Mbytes 页数：8 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER

技术参数

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
4A(Tc)
栅源极阈值电压：
4V @ 250uA
漏源导通电阻：
2.8Ω @ 2A
最大功率耗散（Ta=25°C）：
75W(Tc)
类型：
N沟道

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深圳市星宇佳科技有限公司	FHU4N65B	FeiHong(飞虹)	20+	TO-251	75		询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	FHU4N65B		24+	N/A	78000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市宝芯创电子有限公司	FHV07515M0KNE3	VISHAY	11+	DIP	100	原厂原装仓库现货,欢迎咨询	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	FHV07515M0KNE3	VISHAY/威世	23+	DIP	6800	专注配单,只做原装进口现货	询价
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深圳市科雨电子有限公司	FHV-10AN	TDK	25+	电容器	96	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价

更多FHU4N65B供应商更新时间2025-11-3 15:05:00

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