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FHU4N65B数据手册E-CMOS中文资料规格书

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厂商型号

FHU4N65B

功能描述

场效应管(MOSFET)

制造商

E-CMOS E-CMOS Corporation

中文名称

飞虹高科 飞虹高科股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 13:42:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FHU4N65B

  • 生产厂家

    :E-CMOS

  • 漏源电压(Vdss)

    :650V

  • 连续漏极电流(Id)

    :4A

  • 功率(Pd)

    :75W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)

    :4V@250uA

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