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FHP12N60A

场效应管(MOSFET)

E-CMOS

飞虹高科

FHP12N60A

MOS(场效应管)

FeiHong

飞虹

FIR12N60FG

Advanced N-Ch Power MOSFET-G

文件:3.40667 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FKPF12N60

Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon

Application Explanation • Switching mode power supply, light dimmer, electric flasher unit, hair drier • TV sets, stereo, refrigerator, washing machine • Electric blanket, solenoid driver, small motor control • Photo copier, electric tool

文件:131.97 Kbytes 页数:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

FMC12N60ES

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件:589.27 Kbytes 页数:5 Pages

Fuji

富士通

技术参数

  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时):

    12A(Tc)

  • 栅源极阈值电压:

    4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻:

    750mΩ @ 6A

  • 最大功率耗散(Ta=25°C):

    231W(Tc)

  • 类型:

    N沟道

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FeiHong(飞虹)
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TO-220
105000
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FeiHong(飞虹)
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TO-220
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FSC/ON/FH
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TO-220TO-3PTO-252
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更多FHP12N60A供应商 更新时间2025-11-16 15:01:00