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FKPF12N60	文件：131.97 Kbytes Page：7 Pages	Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon Application Explanation • Switching mode power supply, light dimmer, electric flasher unit, hair drier • TV sets, stereo, refrigerator, washing machine • Electric blanket, solenoid driver, small motor control • Photo copier, electric tool 文件：131.97 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FKPF12N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FMC12N60ES	文件：589.27 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：589.27 Kbytes 页数：5 Pages	FUJI 富士通	FUJI
FMC12N60ES	文件：333.6 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.75Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：333.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FMI12N60ES	文件：587.56 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：587.56 Kbytes 页数：5 Pages	FUJI 富士通	FUJI

详细参数

型号：
FKPF12N60
功能描述：
双向可控硅
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
开启状态：
RMS
电流(It_RMS)：
16 A
不重复通态电流：
120 A 额定重复关闭状态电压
VDRM：
600 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
5 uA
开启状态电压：
保持电流（Ih
最大值）：
45 mA
栅触发电压(Vgt)：
1.3 V
栅触发电流(Igt)：
1.75 mA
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220AB

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