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FGY100T65SCDT	文件：427.74 Kbytes Page：9 Pages	Field Stop Trench IGBT, Short Circuit Rated, 650V, 100A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGY100T65SCDT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 变式类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：FS3TIGBT TO247 100A 650V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGY100T65SPD	文件：252.91 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBTwithSoftFastRecoveryDiode100A,650V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
FGY100T65SCDT
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，100A
开关能量：
5.4mJ（开），3.8mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
84ns/216ns
测试条件：
400V，100A，4.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
FS3TIGBT TO247 100A 650V

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