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IRFP15N60L	文件：326.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP15N60L	文件：898.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity •Lead(Pb)-freeAvai	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP15N60L	文件：171.5 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP15N60LPBF	文件：898.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity •Lead(Pb)-freeAvai	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP15N60LPBF	文件：188.75 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
ISPP15N60CFD	文件：339.19 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.33Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPW15N60CFD	文件：335.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH15N60	文件：82.08 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH15N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH15N60	文件：337.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFM15N60	文件：82.08 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFM15N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH15N60	文件：371.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTM15N60	文件：302.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
JCS15N60CH-O-C-N-B	文件：1.33699 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS15N60CH-R-C-N-B	文件：1.33699 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS15N60FH-O-F-N-B	文件：1.33699 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS15N60FH-R-F-N-B	文件：1.33699 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS15N60H	文件：1.33699 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
K15N60	文件：377.15 Kbytes Page：14 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
FGP15N60UNDF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，15A
开关能量：
370µJ（开），67µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
9.3ns/54.8ns
测试条件：
400V，15A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
IGBT 600V 30A 178W TO220-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	FGP15N60UNDF	onsemi/安森美	新批次	TO-220	4500		询价
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更多FGP15N60UNDF供应商更新时间2024-6-6 11:15:00

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