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FGH75T65SHDTLN4	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT, 650 V, 75 A Field Stop Trench Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. •Maximum Junction Temperature: TJ =175°C\n•Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating\n•High Current Capability\n•Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 75 A\n•100% of the Parts Tested for ILM\n\n•High Input Impedance\n•Fast Switching\n•Tighten Parameter Distribu;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGH75T65SHDTLN4	文件：465.39 Kbytes Page：9 Pages	IGBT - Field Stop, Trench IGBT - Field Stop, Trench 文件：465.39 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGH75T65SHDTLN4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-4；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：FS3 T TO247 75A 650V 4WL	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多FGH75T65SHDTLN4供应商更新时间2026-10-8 8:11:00